Sumber : Infineon Technologies |
Sebagai salah satu langkah dekarbonisasi, Infineon Technologies AG, resmi membuka pembangunan pabrim tahap satu di Malaysia. Pabrik ini di gadang-gadang menjadi yang terbesar di dunia dan mnejadi pabrik power semiconductor silicon carbide (SiC) 200-mm paling kompetitif. Pembukaan ini dihadiri oleh Perdana Menteri Malaysia, Dato' Anwar Ibrahim sebagai upacara simbolis. Pabrik SiC 200-mm yang sangat efisien memperkuat kedudukan Infeneos sebagai market leader di power semiconductor. Pembangunan tahap satu telah memakan investasi sebesar dua juta euro akan digokuskan untuk memproduksi silicon carbide power semiconductor.
SiC telah merevolusi penggunaan high-power karena dapat menjadi switch listrik yang sangat efisien dan dapat diproduksi dengan skala yang lebih kecil. Penggunaan semiconductor jenis ini telah dimanfaatkan di beberapa bidang, antara lain mobil listrik, stasiun pengisian cepat untuk kendaraan listrik, kereta, sistem energi terbarukan, bahkan data center untuk AI. Pembangunan pabrik SiC ini akan menelan biaya yang diperkirakan mencapai 5 juta euro dan akan menjadikannya sebagai yang terbesar di dunia. Pembangunan pabrik ini juga akan membuka lebih dari 4000 lapangan pekerjaan.
Sumber : Infineon
EmoticonEmoticon